哈默納科

N型半導(dǎo)體CSF-14-100-2A-GR

規(guī)格:CSF-14-100-2A-GR
產(chǎn)地:日本

n型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。

N型半導(dǎo)體，以電子為多數(shù)載流子的半導(dǎo)材料，n為negative(負(fù))之意。n型半導(dǎo)體是通過引入施主型雜質(zhì)而形成的。在純半導(dǎo)體材料中摻入雜質(zhì)，使禁帶中出現(xiàn)雜質(zhì)能級，若雜質(zhì)原子能給出電子的，其能級為施主能級，該半導(dǎo)體為n型半導(dǎo)體。如將V族元素砷雜質(zhì)加入到IV族半導(dǎo)體硅中。它能改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電率和導(dǎo)電類型。對n型半導(dǎo)體，電子激發(fā)進(jìn)入導(dǎo)帶成為主要載流子。例如，摻入第15(VA)族元素(磷、砷、銻、鉍等)的硅與鍺。也有某些固體總是n型的，如ZnO，TiO，V2O5和MoO3等。在N型半導(dǎo)體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導(dǎo)電。摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。

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