集成電路發(fā)展及其影響

2.1集成電路的發(fā)展

集成電路的發(fā)展經(jīng)歷了一個(gè)漫長的過程，以下以時(shí)間順序，簡述一下它的發(fā)展過程。1906年，個(gè)電子管誕生；1912年前后，電子管的制作日趨成熟引發(fā)了無線電技術(shù)的發(fā)展；1918年前后，逐步發(fā)現(xiàn)了半導(dǎo)體材料；1920年，發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體材料所具有的光敏特性；1932年前后，運(yùn)用量子學(xué)說建立了能帶理論研究半導(dǎo)體現(xiàn)象；1956年，硅臺(tái)面晶體管問世；1960年12月，世界上塊硅集成電路制造成功；1966年，美國貝爾實(shí)驗(yàn)室使用比較完善的硅外延平面工藝制造成塊公認(rèn)的大規(guī)模集成電路。[2] 1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個(gè)晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路階段的更高階段。1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μｍ工藝，奔騰系列芯片的推出讓計(jì)算機(jī)的發(fā)展如虎添翼，發(fā)展速度讓人驚嘆。2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。集成電路制作工藝的日益成熟和各集成電路廠商的不斷競爭，使集成電路發(fā)揮了它更大的功能，更好的服務(wù)于社會(huì)。由此集成電路從產(chǎn)生到成熟大致經(jīng)歷了如下過程：[3]

電子管——晶體管——集成電路——超大規(guī)模集成電路