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導體電的特點CSF-45-80-2A-GR

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發起的研究聯盟成為日本半導體產業技術趕超的發動機。為了應對美國IBM 在1978-1980 年計劃推出的VLSI(超大規模集成電路)新型計算機,日本通商產業省(日本舊中央省廳之一,承擔著宏觀經濟管理職能)于1976 年從所屬的電子技術綜合研究所中挑選出具備從IC 設計、制造到封測全工序能力的半導體,由其牽頭組織富士通、NEC、日立、東芝和三菱電機組成了“VLSI 研究聯盟”,在1976-1980 年內針對先進的64K、256K 動態隨機存取存儲器(DRAM)基礎技術進行集中攻堅。該項目規劃的資金投入總計737 億日元,其中五家企業出資446 億日元,日本以提供免息貸款形式補助291 億日元。

20 世紀80 年代日本在DRAM 市場戰勝美國,占據全球半導體產業半壁江山。根據日本通產省數據,在4 年的時間里,該研究聯盟共提出了1200 多項專利、300 多項商業機密技術、發表了460 篇科技論文,并成功突破了1 微米加工制程。以DRAM 為例,1K、4K的DRAM 是美國于1970、1972 年研制出來的,但是16K 的DRAM 則是美、日于1976年同時研制出來的,到了64K 的DRAM,日本已經先于美國2 年,于1977 年成功推出,率先進入VLSI 時代,在之后256K、1000K 的DRAM 研制上,日本始終保持了領先地位?;诖?,日本DRAM 的全球市場份額在20 世紀80 年代超越美國,在1986 年達到巔峰,接近80%,日本整個半導體產業的全球地位在隨之快速提升,根據Gartner 數據,1987年日本的NEC、東芝、日立位列全球前3 大半導體廠,前20 名中日企占據10 席。


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