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半導體行業應用HD諧波減速機CSG-40-120-2A-GR

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半導體行業應用HD諧波減速機CSG-40-120-2A-GR半導體產業起源于20世紀中期的美國,之后向日本、韓國、中國臺灣地區轉移。回顧日韓半導體產業的崛起之路,不難發現半導體產業的崛起往往伴隨著設備、材料領等上游領域的協同發展。

20世紀70年代初,日本半導體產業落后美國10年以上。盡管日本可以生產DRAM芯片,但關鍵的制程設備及材料依賴于美國進口。為了彌補產業短板,1976年到1979年,日本開始實施具有里程碑意義的“VLSI研究聯合體”,共投資720億日元用于芯片產業共性技術的突破。4年間,“VLSI研究聯合體”的專利申請數達1210件,商業秘密的申請數達347件,參加企業技術水準得到迅速提高。“VLSI技術研究組合”啟動前,日本的半導體設80%左右依賴美國進口;到了20世紀80年代中期,日本實現了全部半導體生產設備的國產化;到80年代末,日本半導體設備的全球市占率超過50%。

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“VLSI研究聯合體”為日本半導體產業在20世紀80年代的崛起鋪平了道路,半導體行業應用HD諧波減速機CSG-40-120-2A-GR大型計算機的發展帶來的高可靠性DRAM需求成為日本半導體產業崛起的契機。1980年至1986年,日本半導體企業的市占率從26%提升至45%,日本成為大半導體生產國。1989年日本企業在存儲芯片領域的市占率達到53%,巔峰時期的日本電器、東芝、日立三家企業在DRAM領域的市場份額超過90%。相田洋著作《電子立國》中寫道:“日本半導體業的成功,得益于半導體制造設備的優異”,可見日本半導體產業的成功崛起與半導體設備的發展密不可分。


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