半導體離子源專用HD減速機CSF-40-100-2UH是指當真空中有一束離子束射向一塊固體材料時，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個現(xiàn)象叫做濺射;而當離子束射到固體材料時，從固體材料表面彈了回來，或者穿出固體材料而去，這些現(xiàn)象叫做散射;另外有一種現(xiàn)象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中的這一現(xiàn)象叫作離子注入。
半導體離子源專用HD減速機CSF-40-100-2UH是指當真空中有一束離子束射向一塊固體材料時，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個現(xiàn)象叫做濺射;而當離子束射到固體材料時，從固體材料表面彈了回來，或者穿出固體材料而去，這些現(xiàn)象叫做散射;另外有一種現(xiàn)象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中的這一現(xiàn)象叫作離子注入。
在電子工業(yè)中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術，也是控制MOSFET閾值電壓的一個重要手段。因此在當代制造大規(guī)模集成電路中，可以說是一種必不可少的手段。
離子注入的方法就是在真空中、低溫下，把雜質離子加速(對Si，電壓≥105 V)，獲得很大動能的雜質離子即可以直接進入半導體中;同時也會在半導體中產生一些晶格缺陷，因此在離子注入后需用低溫進行退火或激光退火來消除這些缺陷。離子注入的雜質濃度分布一般呈現(xiàn)為高斯分布，并且濃度處不是在表面，而是在表面以內的一定深度處。
半導體離子源專用HD減速機CSF-40-100-2UH的優(yōu)點是能精確控制雜質的總劑量、深度分布和面均勻性，而且是低溫工藝(可防止原來雜質的再擴散等)，同時可實現(xiàn)自對準技術(以減小電容效應)。
在工藝流程中，光刻的下一道工序就是刻蝕或離子注入。在做離子注入時，有光刻膠保護的地方，離子束無法穿透光刻膠;在沒有光刻膠的地方離子束才能被注入到襯底中實現(xiàn)摻雜。因此，用于離子注入工藝的光刻膠必須要能有效地阻擋離子束 。
集成電路前道制程中有許多光刻層之后的工藝是離子注入(ion implantation)，這些光刻層被稱為離子注入光刻層(implant layers)。離子注入完成后，晶圓表面的光刻膠必須被清除掉，清除離子注入后的光刻膠是光刻工藝中的一個難點。對清除工藝的要求包括:
(1)干凈徹底地去除襯底上的光刻膠;
(2)盡量避免襯底損傷表面，特別是離子注入區(qū)域(即沒有光刻膠的區(qū)域);
(3)盡量避免對器件(如柵極的金屬)造成傷害 。
半導體離子源專用HD減速機CSF-40-100-2UH
多樣性:原則上任何元素都可以作為注入離子;形成的結構可不受熱力學參數(shù)(擴散、溶解度等)限制;
不改變:不改變工件的原有尺寸和粗糙度等;適合于各類精密零件生產的最后一道工序;
牢固性:注入離子直接和材料表面原子或分子結合，形成改性層，改性層和基底材料沒有清晰的界面，結合牢靠，不存在脫落的現(xiàn)象;
不受限:注入過程在材料溫度低于零下、高到幾百上千度都可以進行;可對那些普通方法不能處理的材料進行表面強化，如塑料、回火溫度低的鋼材等;
